용어검색/반도체전해도금Electrochemical depositionECD팩별 설명반도체 공정 L1반도체 장비 L1반도체 소재 L1반도체 공정 L2전해도금은 전기화학 반응으로 용액의 금속 이온을 도전 표면에 석출시키는 방법이다.정의 복사관련 학습 ↓설명전류 분포·시드 연결·물질 전달·첨가제가 성장 형상을 바꾼다. 웨이퍼 전체 공급 전류가 같아도 구조 내부의 성장률은 다르다.예시특정 깊은 구조만 충전이 나쁘면 평균 도금 두께보다 시드와 내부 성장 분포를 확인한다.구분전류 설정값과 위치별 석출량을 구분한다.함께 배우는 용어대기 시간 제한↗대기 시간 제한은 두 공정 사이 표면 변화나 열화가 허용범위를 넘지 않도록 정한 최대 대기 조건이다.섀도잉↗섀도잉은 구조의 상부나 돌출부가 입자 경로를 가려 일부 표면의 공급을 줄이는 현상이다.임계 치수↗임계 치수인 CD는 소자의 기능이나 제조 허용 범위를 결정하는 중요한 패턴 치수다.이전 용어← 비아다음 용어바닥 우선 충전 →반도체 기술지도전체 지도 ↗L0 큰 그림L1 분야 이해L2 깊은 탐구✦ BESTL0반도체 시작10무료학습 10개✦ BESTL1반도체 용어오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 공정오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 공정오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 장비오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 장비오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 패키징·HBM오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 패키징·HBM오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 수율·불량오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 수율·불량오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 테스트오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 테스트오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 계측·검사오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 계측·검사오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 소재오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 소재오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 소자오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 소자오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 클린룸·오염관리오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 클린룸·오염관리오픈 30% · 27,300원학습 30개L1Fab 자동화·MES오픈 30% · 27,300원학습 30개L2Fab 자동화·MES오픈 30% · 27,300원학습 30개