용어검색/반도체이온 보조 식각Ion-assisted etching이온 보조 식각은 표면에 도달한 이온이 반응이나 제거를 도와 식각이 진행되는 방식입니다.정의 복사관련 학습 ↓설명이온의 방향성은 수직 형상 형성에 기여할 수 있지만 충돌에 의한 손상도 고려합니다. 강한 충돌이 항상 좋은 결과를 주지는 않습니다.예시옆면 보호가 있는 구조에서 바닥 쪽 반응이 더 진행되도록 조합할 수 있습니다.구분형상 제어와 아래층 손상 사이를 함께 봅니다.함께 배우는 용어열팽창계수↗열팽창계수는 온도가 변할 때 재료 길이 등이 상대적으로 얼마나 변하는지 나타내는 계수입니다.단결정↗단결정은 원자 배열의 규칙적인 방향이 큰 영역에 걸쳐 이어지는 결정입니다.계면↗계면은 서로 다른 두 재료나 층이 맞닿는 경계 영역입니다.이전 용어← 라디칼다음 용어옆면 패시베이션 →반도체 기술지도전체 지도 ↗L0 큰 그림L1 분야 이해L2 깊은 탐구✦ BESTL0반도체 시작10무료학습 10개✦ BESTL1반도체 용어오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 공정오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 공정오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 장비오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 장비오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 패키징·HBM오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 패키징·HBM오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 수율·불량오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 수율·불량오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 테스트오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 테스트오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 계측·검사오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 계측·검사오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 소재오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 소재오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 소자오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 소자오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 클린룸·오염관리오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 클린룸·오염관리오픈 30% · 27,300원학습 30개L1Fab 자동화·MES오픈 30% · 27,300원학습 30개L2Fab 자동화·MES오픈 30% · 27,300원학습 30개