용어검색/반도체IR 드롭IR drop팩별 설명반도체 패키징·HBM L1반도체 패키징·HBM L2IR 드롭은 전류가 저항을 통과할 때 생기는 전압 강하다.정의 복사관련 학습 ↓설명옴의 법칙에 따라 전압 강하는 전류 I와 저항 R의 곱으로 계산한다. 전류가 크면 작은 저항도 의미 있는 전압 손실을 만들 수 있다.예시가상으로 2 A가 10 mΩ 경로를 흐르면 20 mV가 떨어진다. 실제 다이 전압은 다른 경로와 시간 변화도 포함하여 측정해야 한다.구분전원 경로의 작은 저항도 큰 전류와 만나면 무시하기 어려워진다.함께 배우는 용어웨이퍼 테스트↗웨이퍼 테스트는 다이를 분리하기 전에 프로브로 접촉하여 전기적 특성과 동작을 검사하는 단계다.팬아웃↗팬아웃은 재배선을 다이 바깥 영역까지 확장해 연결 공간을 확보하는 배치다.칩 퍼스트와 RDL 퍼스트↗칩 퍼스트와 RDL 퍼스트는 팬아웃 구조에서 다이 배치와 재배선 형성 중 어느 것을 먼저 하는지를 구분하는 공정 접근이다.이전 용어← 전력 전달망다음 용어인덕턴스와 전압 변동 →반도체 기술지도전체 지도 ↗L0 큰 그림L1 분야 이해L2 깊은 탐구✦ BESTL0반도체 시작10무료학습 10개✦ BESTL1반도체 용어오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 공정오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 공정오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 장비오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 장비오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 패키징·HBM오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 패키징·HBM오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 수율·불량오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 수율·불량오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 테스트오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 테스트오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 계측·검사오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 계측·검사오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 소재오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 소재오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 소자오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 소자오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 클린룸·오염관리오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 클린룸·오염관리오픈 30% · 27,300원학습 30개L1Fab 자동화·MES오픈 30% · 27,300원학습 30개L2Fab 자동화·MES오픈 30% · 27,300원학습 30개