스캐너

심자외선(DUV) 파장의 빛을 사용하는 광학 리소그래피 기술 계열. 대표 광원으로 KrF 248 nm와 ArF 193 nm가 쓰인다.

약 13.5 nm 파장의 극자외선(EUV)을 사용하는 고해상도 리소그래피 기술.

한 노광 영역을 노광한 뒤 웨이퍼 스테이지를 다음 위치로 옮겨 같은 레티클 패턴을 반복해서 노광하는 리소그래피 장비.

노광 장비에서 웨이퍼에 투영할 회로 패턴을 담고 있는 원판으로, 마스크와 같은 계열의 용어.

여러 개의 동일한 집적회로를 한꺼번에 제조하기 위한 얇고 둥근 반도체 기판.

레티클/마스크의 패턴 정보를 빛으로 포토레지스트에 선택적으로 전달해 레지스트의 화학적 상태를 바꾸는 단계.

회로 설계가 웨이퍼 위에 선·공간·구조 형태로 구현된 미세 형상.

한 노광 영역을 노광한 뒤 웨이퍼 스테이지를 다음 위치로 옮겨 같은 레티클 패턴을 반복해서 노광하는 리소그래피 장비.

심자외선(DUV) 파장의 빛을 사용하는 광학 리소그래피 기술 계열. 대표 광원으로 KrF 248 nm와 ArF 193 nm가 쓰인다.

약 13.5 nm 파장의 극자외선(EUV)을 사용하는 고해상도 리소그래피 기술.

서로 다른 리소그래피 층의 패턴이 목표 위치에 얼마나 정확히 겹치는지를 나타내는 오차 지표.

패턴이 있는 또는 무패턴 웨이퍼를 광학·전자빔 등으로 스캔해 결함과 표면 이상 징후를 찾는 검사 활동.

레티클/마스크의 패턴 정보를 빛으로 포토레지스트에 선택적으로 전달해 레지스트의 화학적 상태를 바꾸는 단계.