용어검색/반도체이방성 식각Anisotropic etching팩별 설명반도체 공정 L1반도체 장비 L1반도체 공정 L2반도체 장비 L2이방성 식각은 방향에 따라 제거 속도가 다른 식각이다.정의 복사관련 학습 ↓설명플라즈마에서는 이온 방향성과 측벽 보호 등을 이용해 바닥 제거를 우세하게 만들 수 있다. 일부 습식 식각도 결정 방향에 따른 이방성을 가진다.플라즈마플라즈마는 전자·이온과 중성 입자가 함께 존재하는 이온화된 기체 상태다.용어 상세 ↗예시수직 측벽을 얻었다고 모든 하부 구조가 손상 없이 보존됐다고 판단하지 않는다.구분이방성을 건식의 동의어로 쓰지 않는다.함께 배우는 용어플라즈마↗플라즈마는 전자·이온과 중성 입자가 함께 존재하는 이온화된 기체 상태다.변동의 계층↗변동의 계층은 측정 반복·웨이퍼 내부·웨이퍼 사이·로트 사이에서 생기는 차이를 구분하는 관점이다.공간적 서명↗공간적 서명은 측정값이나 결함이 웨이퍼·필드의 위치에 따라 보이는 반복적 분포 형태다.이전 용어← 소스 전력과 바이어스다음 용어측벽 패시베이션 →반도체 기술지도전체 지도 ↗L0 큰 그림L1 분야 이해L2 깊은 탐구✦ BESTL0반도체 시작10무료학습 10개✦ BESTL1반도체 용어오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 공정오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 공정오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 장비오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 장비오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 패키징·HBM오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 패키징·HBM오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 수율·불량오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 수율·불량오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 테스트오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 테스트오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 계측·검사오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 계측·검사오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 소재오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 소재오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 소자오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 소자오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 클린룸·오염관리오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 클린룸·오염관리오픈 30% · 27,300원학습 30개L1Fab 자동화·MES오픈 30% · 27,300원학습 30개L2Fab 자동화·MES오픈 30% · 27,300원학습 30개