화학기계적 평탄화
Chemical mechanical planarization
CMP
화학기계적 평탄화는 화학 반응과 패드·입자의 기계적 작용을 결합해 표면을 제거하고 평탄화하는 공정이다.
설명
반응층 형성·접촉·마찰·입자 공급·부산물 배출이 함께 작용한다. 평균 제거율이 같아도 패턴 높이와 결함은 달라질 수 있다.
예시
제거율 보정 뒤에도 잔막··스크래치·세정 잔류를 확인한다. 목표가 단순 막두께 감소인지 패턴 평탄화인지 구분한다.
구분
제거 성능과 평탄화 품질은 별도의 평가 축이다.