용어검색/반도체디싱Dishing팩별 설명반도체 공정 L1반도체 장비 L1반도체 패키징·HBM L1반도체 수율·불량 L1반도체 소재 L1반도체 공정 L2반도체 장비 L2반도체 수율·불량 L2반도체 소재 L2디싱은 연마 후 특정 재료 영역의 표면이 주변보다 오목하게 낮아지는 현상이다.정의 복사관련 학습 ↓설명금속과 절연막의 제거 선택성, 패턴 폭, 패드 변형, 과연마가 영향을 줄 수 있다. 평균 잔막이 맞아도 넓은 금속 영역이 더 깊게 내려갈 수 있다.예시전체 제거량만 줄이면 다른 위치에 잔막이 남을 수 있다. 패턴별 높이와 잔막 조건의 공통 허용 영역을 찾는다.구분디싱은 평균 두께가 아니라 패턴 내부의 상대 높이 문제다.함께 배우는 용어진공 컨덕턴스↗진공 컨덕턴스 C는 두 지점의 압력 차이에 대해 가스가 얼마나 쉽게 흐르는지를 나타내는 값이다.열전대와 접촉 오차↗열전대는 서로 다른 금속 접합의 열기전력으로 온도를 측정하며, 접촉·열용량 때문에 측정 대상과 차이가 생길 수 있다.열예산↗열예산은 재료가 경험한 시간·온도 이력이 확산·반응·활성화에 미치는 누적 영향을 나타내는 개념이다.이전 용어← 헤드 구역 압력다음 용어에로전 →반도체 기술지도전체 지도 ↗L0 큰 그림L1 분야 이해L2 깊은 탐구✦ BESTL0반도체 시작10무료학습 10개✦ BESTL1반도체 용어오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 공정오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 공정오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 장비오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 장비오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 패키징·HBM오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 패키징·HBM오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 수율·불량오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 수율·불량오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 테스트오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 테스트오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 계측·검사오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 계측·검사오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 소재오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 소재오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 소자오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 소자오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 클린룸·오염관리오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 클린룸·오염관리오픈 30% · 27,300원학습 30개L1Fab 자동화·MES오픈 30% · 27,300원학습 30개L2Fab 자동화·MES오픈 30% · 27,300원학습 30개