설명
방지막이 두껍거나 이 크면 저항에 부담이 되고, 너무 약하면 구리 문제가 생길 수 있다.
전류의 흐름을 방해하는 정도를 나타내는 전기적 성질.
용어 상세 ↗서로 다른 높이의 금속/칩 내부 배선 층을 수직으로 연결하는 전도성 구조.
용어 상세 ↗열에 의해 원자나 도펀트가 물질 내부로 이동하도록 하는 열 공정. 이온주입 뒤 도펀트 활성화나 분포 조절과 연결될 수 있다.
용어 상세 ↗예시
Ta/TaN 같은 방지막 층을 트렌치와 표면에 먼저 형성한 뒤 구리 시드를 한다.
관련 용어: / / 비아 /
서로 다른 높이의 금속/칩 내부 배선 층을 수직으로 연결하는 전도성 구조.
용어 상세 ↗웨이퍼 표면에 원하는 재료의 얇은 막을 형성하는 공정 전체를 뜻한다.
용어 상세 ↗전해도금 전에 트렌치/비아 표면에 얇고 연속적으로 형성해 전류 경로와 구리 핵생성 표면을 제공하는 초기 구리 막.
용어 상세 ↗낮은 전기저항 특성 때문에 현대 IC 칩 내부 배선에 널리 쓰이는 금속. 구리 집적은 방지막/시드와 전해도금, CMP를 함께 사용한다.
용어 상세 ↗타깃 재료를 스퍼터링 등 물리적 방법으로 방출시켜 웨이퍼에 박막을 형성하는 증착 방식.
용어 상세 ↗구분
방지막은 구리 확산 억제가 핵심이고 은 이후 도금이 시작될 전도성 표면을 제공한다.
열에 의해 원자나 도펀트가 물질 내부로 이동하도록 하는 열 공정. 이온주입 뒤 도펀트 활성화나 분포 조절과 연결될 수 있다.
용어 상세 ↗전해도금 전에 트렌치/비아 표면에 얇고 연속적으로 형성해 전류 경로와 구리 핵생성 표면을 제공하는 초기 구리 막.
용어 상세 ↗