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다마신 공정

Damascene process

팩별 설명

다마신 공정은 절연막에 홈이나 구멍을 만든 뒤 도전 재료를 채우고 표면의 불필요한 금속을 제거하여 배선을 형성하는 방식이다.

설명

금속 패턴을 직접 깎는 접근과 달리 절연막 형상과 충전·가 연결된다. 빈 공간의 형상이 최종 배선 단면을 결정한다.

CMP

화학기계적 평탄화인 CMP는 표면의 화학 반응과 기계적 접촉을 결합해 재료를 제거하고 높이 차이를 줄이는 공정이다.

배선 저항이 달라지면 금속 품질뿐 아니라 식각 폭·깊이와 손실도 확인한다.

CMP

화학기계적 평탄화인 CMP는 표면의 화학 반응과 기계적 접촉을 결합해 재료를 제거하고 높이 차이를 줄이는 공정이다.

배선 단면은 여러 단계의 결과다.

화학기계적 평탄화인 CMP는 표면의 화학 반응과 기계적 접촉을 결합해 재료를 제거하고 높이 차이를 줄이는 공정이다.

대기 시간 제한은 두 공정 사이 표면 변화나 열화가 허용범위를 넘지 않도록 정한 최대 대기 조건이다.

섀도잉은 구조의 상부나 돌출부가 입자 경로를 가려 일부 표면의 공급을 줄이는 현상이다.