화학기계적 평탄화
Chemical mechanical planarization
CMP
화학기계적 평탄화인 CMP는 표면의 화학 반응과 기계적 접촉을 결합해 재료를 제거하고 높이 차이를 줄이는 공정이다.
설명
·패드·하중·운동·표면 재료가 함께 작용한다. 제거량이 크다는 것과 평탄화 성능이 좋다는 것은 다르다.
예시
전체 막 두께는 목표지만 국부 단차가 남으면 평균 제거량 외에 위치별 평탄도를 평가한다.
구분
총 제거량과 남은 높이 차이를 별개의 응답으로 관리한다.