식각 이방성

Etch Anisotropy

Anisotropy

이 모든 방향으로 비슷하게 진행되지 않고 특정 방향, 주로 수직 방향으로 더 강하게 진행되는 정도.

식각

포토레지스트나 하드마스크로 보호되지 않은 영역의 재료를 선택적으로 제거해 웨이퍼에 실제 3차원 패턴을 만드는 공정.

설명

미세 선/트렌치의 옆면이 무너지지 않고 원하는 형상을 만들려면 높은 이방성이 중요하다.

식각

포토레지스트나 하드마스크로 보호되지 않은 영역의 재료를 선택적으로 제거해 웨이퍼에 실제 3차원 패턴을 만드는 공정.

에서 이온의 방향성을 이용해 측면 을 줄이고 아래 방향 식각을 강화한다. 관련 용어: 반응성 이온 식각(RIE) /

RIE

플라즈마에서 만들어진 방향성 이온의 물리적 작용과 라디칼의 화학반응을 결합해 높은 식각 이방성과 실용적인 식각속도를 얻는 건식 식각 방식.

식각

포토레지스트나 하드마스크로 보호되지 않은 영역의 재료를 선택적으로 제거해 웨이퍼에 실제 3차원 패턴을 만드는 공정.

식각 측벽 프로파일

식각된 트렌치나 홀의 옆벽이 얼마나 수직이고 매끄러운지, taper나 bowing이 있는지 등을 나타내는 형상 특성.

이방성은 방향성이고 는 어떤 재료를 더 빠르게 제거하는가의 문제다.

식각

포토레지스트나 하드마스크로 보호되지 않은 영역의 재료를 선택적으로 제거해 웨이퍼에 실제 3차원 패턴을 만드는 공정.

식각 선택비

목표 재료의 식각속도가 마스크나 인접 재료의 식각속도에 비해 얼마나 큰지를 나타내는 상대 지표.

포토레지스트나 하드마스크로 보호되지 않은 영역의 재료를 선택적으로 제거해 웨이퍼에 실제 3차원 패턴을 만드는 공정.

플라즈마에서 만들어진 방향성 이온의 물리적 작용과 라디칼의 화학반응을 결합해 높은 식각 이방성과 실용적인 식각속도를 얻는 건식 식각 방식.

식각된 트렌치나 홀의 옆벽이 얼마나 수직이고 매끄러운지, taper나 bowing이 있는지 등을 나타내는 형상 특성.