식각 측벽 프로파일

여러 다이를 수직으로 쌓아 연결하는 집적 방식입니다.

실리콘 다이 또는 웨이퍼를 수직으로 관통하는 전도성 비아를 만들어 위·아래 칩/층 사이를 짧게 연결하는 3D 상호연결 기술.

포토레지스트나 하드마스크로 보호되지 않은 영역의 재료를 선택적으로 제거해 웨이퍼에 실제 3차원 패턴을 만드는 공정.

동일 공정 결과가 공간이나 시료 사이에서 얼마나 일정한지를 나타내는 개념. 두께, CD, CMP 제거율 등 다양한 파라미터에 적용한다.

웨이퍼 표면에 원하는 재료의 얇은 막을 형성하는 공정 전체를 뜻한다.

식각이 모든 방향으로 비슷하게 진행되지 않고 특정 방향, 주로 수직 방향으로 더 강하게 진행되는 정도.

반도체 패턴에서 성능과 공정 허용오차에 중요해 관리되는 선폭·간격 같은 핵심 치수.

폭에 비해 깊이가 매우 큰 홀이나 트렌치 같은 구조를 뜻합니다.

포토레지스트나 하드마스크로 보호되지 않은 영역의 재료를 선택적으로 제거해 웨이퍼에 실제 3차원 패턴을 만드는 공정.

식각이 모든 방향으로 비슷하게 진행되지 않고 특정 방향, 주로 수직 방향으로 더 강하게 진행되는 정도.