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CVD

Chemical Vapor Deposition

화학기상증착

팩별 설명

CVD는 기체 상태의 원료가 반응하거나 분해되어 기판 위에 고체 을 형성하는 화학기상증착이다.

박막

박막은 기판이나 기존 구조 위에 얇게 형성하여 특정 기능을 부여하는 재료층이다.

설명

반응물이 표면에 도달하고 반응한 뒤 부산물이 빠져나가야 성장이 이어진다. 금속을 물리적으로 날려 보내는 와는 재료가 막으로 바뀌는 방식이 다르다.

PVD

PVD는 원료 재료를 물리적으로 기화하거나 방출시켜 기판 위에 막을 형성하는 물리기상증착이다.

같은 가스를 공급해도 기판 온도와 압력이 다르면 반응 속도와 막의 조성이 달라질 수 있다. 원료의 양만으로 최종 막 특성을 예측하지 않는다.

CVD는 원료 공급·표면 반응·부산물 배출이 연결된 과정이다.

박막은 기판이나 기존 구조 위에 얇게 형성하여 특정 기능을 부여하는 재료층이다.

PVD는 원료 재료를 물리적으로 기화하거나 방출시켜 기판 위에 막을 형성하는 물리기상증착이다.

FEOL은 웨이퍼에 트랜지스터 등 소자의 기본 구조를 형성하는 공정 영역이다.