건식 식각

회로 설계가 웨이퍼 위에 선·공간·구조 형태로 구현된 미세 형상.

포토레지스트나 하드마스크로 보호되지 않은 영역의 재료를 선택적으로 제거해 웨이퍼에 실제 3차원 패턴을 만드는 공정.

플라즈마에서 만들어진 방향성 이온의 물리적 작용과 라디칼의 화학반응을 결합해 높은 식각 이방성과 실용적인 식각속도를 얻는 건식 식각 방식.

전자, 양이온, 라디칼 등이 존재하는 이온화된 가스 상태로, 건식 식각에서 화학적 반응과 directional 이온 bombardment를 만들어내는 핵심 매개체.

포토레지스트나 하드마스크로 보호되지 않은 영역의 재료를 선택적으로 제거해 웨이퍼에 실제 3차원 패턴을 만드는 공정.

액체 식각액의 화학반응으로 노출된 재료를 용해·제거하는 식각 방식.

플라즈마에서 만들어진 방향성 이온의 물리적 작용과 라디칼의 화학반응을 결합해 높은 식각 이방성과 실용적인 식각속도를 얻는 건식 식각 방식.

식각이 모든 방향으로 비슷하게 진행되지 않고 특정 방향, 주로 수직 방향으로 더 강하게 진행되는 정도.

포토레지스트나 하드마스크로 보호되지 않은 영역의 재료를 선택적으로 제거해 웨이퍼에 실제 3차원 패턴을 만드는 공정.

전자, 양이온, 라디칼 등이 존재하는 이온화된 가스 상태로, 건식 식각에서 화학적 반응과 directional 이온 bombardment를 만들어내는 핵심 매개체.