용어검색/반도체RIEReactive ion etching반응성 이온 식각팩별 설명반도체 용어 L1반도체 공정 L1반도체 장비 L1반도체 공정 L2반도체 장비 L2RIE는 반응성 가스의 화학 반응과 이온 충격을 함께 이용하는 건식 식각 방식이다.정의 복사관련 학습 ↓설명라디칼 공급·이온 에너지·측벽 보호의 균형에 따라 프로파일과 선택비가 변한다.선택비식각 선택비는 특정 조건에서 목표막 제거 속도를 기준막 제거 속도로 나눈 비율이다.용어 상세 ↗함께 배우는 용어식각 선택비↗식각 선택비는 특정 조건에서 목표막 제거 속도를 기준막 제거 속도로 나눈 비율이다.가스 처리량↗가스 처리량 Q는 일정 기준에서 압력과 체적유량의 곱으로 표현하는 가스 이동량이다.유효 배기속도↗유효 배기속도는 챔버 접속 위치에서 실제로 가스를 제거하는 체적 속도다.이전 용어← CD반도체 기술지도전체 지도 ↗L0 큰 그림L1 분야 이해L2 깊은 탐구✦ BESTL0반도체 시작10무료학습 10개✦ BESTL1반도체 용어오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 공정오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 공정오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 장비오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 장비오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 패키징·HBM오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 패키징·HBM오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 수율·불량오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 수율·불량오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 테스트오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 테스트오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 계측·검사오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 계측·검사오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 소재오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 소재오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 소자오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 소자오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 클린룸·오염관리오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 클린룸·오염관리오픈 30% · 27,300원학습 30개L1Fab 자동화·MES오픈 30% · 27,300원학습 30개L2Fab 자동화·MES오픈 30% · 27,300원학습 30개