주입 에너지
Implant energy
주입 에너지는 이온이 기판에 입사할 때 가진 운동에너지로, 침투와 손상 분포에 영향을 준다.
설명
같은 이온·기판 조건에서 에너지 증가는 일반적으로 더 깊은 분포를 만들지만 산란·결정방향·막 스택의 영향을 함께 받는다. 도즈와 에너지는 서로 다른 제어 축이다.
예시
이 달라졌을 때 도즈만 보정하면 깊이 분포 변화가 남을 수 있다. 에너지와 후속 열처리 이력을 같이 확인한다.
구분
입자 수를 맞추는 것과 깊이를 맞추는 것은 다른 일이다.