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채널 홀

Channel hole

의 채널 홀은 적층막을 관통해 수직 채널과 메모리 구조를 형성할 공간을 만드는 깊은 구멍이다.

3D NAND

3D NAND 적층은 메모리 셀을 여러 높이에 배치하도록 층을 반복 형성한 구조이다.

설명

윗부분과 바닥의 폭·기울기·휘어짐· 종료 상태를 관리해야 한다. 단순히 깊게 뚫는 것만으로 모든 층의 셀이 같은 상태가 되지는 않는다.

식각

식각은 화학반응이나 물리적 작용으로 재료를 제거해 원하는 형상과 노출 영역을 만드는 공정이다.

윗면 가 맞아도 중간이 부풀거나 바닥이 좁으면 각 높이의 셀 형상과 후속 피복이 달라질 수 있다. 전체 단면 형상이 중요한 이유이다.

CD는 소자나 배선의 기능에 중요한 선폭·구멍 지름 등 관리 대상 치수이다.

채널 홀은 깊이와 함께 전체 높이에서의 형상 일관성을 요구한다.

3D NAND 적층은 메모리 셀을 여러 높이에 배치하도록 층을 반복 형성한 구조이다.

식각은 화학반응이나 물리적 작용으로 재료를 제거해 원하는 형상과 노출 영역을 만드는 공정이다.

CD는 소자나 배선의 기능에 중요한 선폭·구멍 지름 등 관리 대상 치수이다.