노광

레티클과 웨이퍼를 정밀하게 이동·스캔하면서 좁은 노광 slit를 이용해 한 노광 영역을 노광하는 step-and-scan 리소그래피 시스템.

노광 장비에서 웨이퍼에 투영할 회로 패턴을 담고 있는 원판으로, 마스크와 같은 계열의 용어.

회로 설계가 웨이퍼 위에 선·공간·구조 형태로 구현된 미세 형상.

여러 개의 동일한 집적회로를 한꺼번에 제조하기 위한 얇고 둥근 반도체 기판.

빛에 반응해 용해 특성이 변하는 감광성 재료로, 웨이퍼 위에 얇게 도포되어 노광·현상 후 식각 마스크 역할을 하는 패턴을 만든다.

포토레지스트가 받는 빛 에너지를 면적 기준으로 나타내는 리소그래피 파라미터로, 레지스트 반응과 최종 패턴 형상에 영향을 준다.

레티클의 패턴 이미지가 웨이퍼의 포토레지스트 면에 가장 선명하게 맺히도록 초점 위치를 맞춘 상태.

노광 후 현상액을 이용해 포토레지스트의 특정 영역을 선택적으로 제거하여 최종 레지스트 패턴을 드러내는 단계.

회로 설계가 웨이퍼 위에 선·공간·구조 형태로 구현된 미세 형상.

노광 후 현상액을 이용해 포토레지스트의 특정 영역을 선택적으로 제거하여 최종 레지스트 패턴을 드러내는 단계.