현상
Photoresist Development
Development
후 현상액을 이용해 포토레지스트의 특정 영역을 선택적으로 제거하여 최종 레지스트 을 드러내는 단계.
설명
positive 레지스트와 negative 레지스트는 노광된 부분이 남는지 제거되는지가 반대일 수 있다.
예시
노광된 을 현상해 회로 모양의 레지스트 를 만든 뒤 으로 넘긴다. 관련 용어: 포토레지스트(PR) / / 식각
마스크
포토리소그래피에서 웨이퍼에 전사할 회로 패턴을 담아 노광에 사용하는 패턴 캐리어. DUV에서는 주로 투과형 레티클/마스크를, EUV에서는 반사형 다층 마스크를 사용한다.
용어 상세구분
현상은 레지스트를 선택 제거하는 단계이고 은 아래 막/재료를 제거하는 단계다.