설명
설계 데이터가 실제 으로 이어지는 핵심 매개체이며, 방식에 따라 마스크의 광학 구조가 달라진다.
여러 개의 동일한 집적회로를 한꺼번에 제조하기 위한 얇고 둥근 반도체 기판.
용어 상세 ↗회로 설계가 웨이퍼 위에 선·공간·구조 형태로 구현된 미세 형상.
용어 상세 ↗레티클/마스크의 패턴 정보를 빛으로 포토레지스트에 선택적으로 전달해 레지스트의 화학적 상태를 바꾸는 단계.
용어 상세 ↗예시
는 투과형 의 을 투영하고, 스캐너는 반사형 마스크에서 반사된 EUV를 이용해 패턴을 전사한다.
관련 용어: 레티클 / 심자외선 / 극자외선 노광 / 노광
심자외선(DUV) 파장의 빛을 사용하는 광학 리소그래피 기술 계열. 대표 광원으로 KrF 248 nm와 ArF 193 nm가 쓰인다.
용어 상세 ↗레티클과 웨이퍼를 정밀하게 이동·스캔하면서 좁은 노광 slit를 이용해 한 노광 영역을 노광하는 step-and-scan 리소그래피 시스템.
용어 상세 ↗노광 장비에서 웨이퍼에 투영할 회로 패턴을 담고 있는 원판으로, 마스크와 같은 계열의 용어.
용어 상세 ↗회로 설계가 웨이퍼 위에 선·공간·구조 형태로 구현된 미세 형상.
용어 상세 ↗약 13.5 nm 파장의 극자외선(EUV)을 사용하는 고해상도 리소그래피 기술.
용어 상세 ↗레티클/마스크의 패턴 정보를 빛으로 포토레지스트에 선택적으로 전달해 레지스트의 화학적 상태를 바꾸는 단계.
용어 상세 ↗구분
마스크와 은 문맥에 따라 겹쳐 쓰이지만, "투명 기판" 설명은 계열에 한정해야 한다. 마스크는 반사형 다층 구조다.
노광 장비에서 웨이퍼에 투영할 회로 패턴을 담고 있는 원판으로, 마스크와 같은 계열의 용어.
용어 상세 ↗심자외선(DUV) 파장의 빛을 사용하는 광학 리소그래피 기술 계열. 대표 광원으로 KrF 248 nm와 ArF 193 nm가 쓰인다.
용어 상세 ↗약 13.5 nm 파장의 극자외선(EUV)을 사용하는 고해상도 리소그래피 기술.
용어 상세 ↗