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프레스턴 관계

Preston relation

팩별 설명

프레스턴 관계는 일정 조건에서 제거율을 압력과 상대속도의 곱에 비례하도록 근사하는 경험식이다.

CMP

화학기계적 평탄화인 CMP는 표면의 화학 반응과 기계적 접촉을 결합해 재료를 제거하고 높이 차이를 줄이는 공정이다.

설명

대표 형태는 R=KPV이며 K는 재료··패드 등의 영향을 포함한다. 화학 반응이나 접촉 상태가 달라지면 K가 일정하지 않을 수 있다.

슬러리

CMP 슬러리는 연마 입자와 화학 성분을 포함하여 표면 반응과 제거를 돕는 유체다.

K와 V가 일정한 가상 조건에서 압력 10% 증가는 제거율 약 10% 증가로 근사한다. 결함과 변형까지 같은 비율이라는 뜻은 아니다.

비례식은 확인한 범위에서만 사용한다.

화학기계적 평탄화인 CMP는 표면의 화학 반응과 기계적 접촉을 결합해 재료를 제거하고 높이 차이를 줄이는 공정이다.

CMP 슬러리는 연마 입자와 화학 성분을 포함하여 표면 반응과 제거를 돕는 유체다.

표면 준비는 후속 증착·접합·반응이 재현되도록 오염과 표면 화학상태를 조정하는 과정이다.