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슬러리

Slurry

팩별 설명

슬러리는 연마 입자와 화학 성분을 포함하여 표면 반응과 제거를 돕는 유체다.

CMP

화학기계적 평탄화인 CMP는 표면의 화학 반응과 기계적 접촉을 결합해 재료를 제거하고 높이 차이를 줄이는 공정이다.

설명

입자 크기·응집·산화·착화·억제 성분 등이 제거율·선택성·부식·스크래치에 영향을 준다. 조성 변화는 평균 제거율보다 결함으로 먼저 보일 수 있다.

제거율은 유지되지만 스크래치가 늘면 입자 응집과 공급·여과 상태를 확인한다.

제거율 정상만으로 슬러리 상태 정상이라고 판단하지 않는다.

화학기계적 평탄화인 CMP는 표면의 화학 반응과 기계적 접촉을 결합해 재료를 제거하고 높이 차이를 줄이는 공정이다.

표면 준비는 후속 증착·접합·반응이 재현되도록 오염과 표면 화학상태를 조정하는 과정이다.

자연산화막은 실리콘 등 반응성 표면이 주변 산소·수분에 노출되며 별도 열산화 없이 형성하는 얇은 산화층이다.