설명
검사는 을 발견하고 위치/분류 정보를 제공하며 은 특정 파라미터를 정량 측정하는 역할이 더 강하다.
패턴·막·전기특성 등에서 정상 기대상태와 달라 제품 성능이나 수율에 악영향을 줄 수 있는 이상.
용어 상세 ↗공정 결과의 치수, 두께, 중첩 정렬 오차, 형상, 재료 특성 같은 값을 정량적으로 측정하는 활동과 기술.
용어 상세 ↗예시
광학 검사 장비가 전면을 스캔해 반복되지 않는 후보를 찾는다.
관련 용어: / /
여러 개의 동일한 집적회로를 한꺼번에 제조하기 위한 얇고 둥근 반도체 기판.
용어 상세 ↗패턴·막·전기특성 등에서 정상 기대상태와 달라 제품 성능이나 수율에 악영향을 줄 수 있는 이상.
용어 상세 ↗웨이퍼에서 정상 패턴과 다른 입자, 잔류물, 긁힘, bridge, 빈 공간 등의 결함 후보를 찾아 위치와 크기를 기록하는 검사.
용어 상세 ↗패턴이 있는 또는 무패턴 웨이퍼를 광학·전자빔 등으로 스캔해 결함과 표면 이상 징후를 찾는 검사 활동.
용어 상세 ↗공정 결과의 치수, 두께, 중첩 정렬 오차, 형상, 재료 특성 같은 값을 정량적으로 측정하는 활동과 기술.
용어 상세 ↗구분
검사와 은 겹치는 장비도 있지만 목적은 discovery vs 정량 측정으로 구분하면 쉽다.
공정 결과의 치수, 두께, 중첩 정렬 오차, 형상, 재료 특성 같은 값을 정량적으로 측정하는 활동과 기술.
용어 상세 ↗패턴·막·전기특성 등에서 정상 기대상태와 달라 제품 성능이나 수율에 악영향을 줄 수 있는 이상.
용어 상세 ↗