계측

측정 데이터와 공정 상태를 이용해 공정 조건을 자동으로 조정하는 고급 공정 제어 방식.

공정 데이터를 시간에 따라 통계적으로 모니터링해 정상적인 변동과 이상 신호를 구분하고 공정 안정성을 관리하는 방법.

서로 다른 리소그래피 층의 패턴이 목표 위치에 얼마나 정확히 겹치는지를 나타내는 오차 지표.

증착·산화 등으로 형성된 박막이 웨이퍼 위에서 얼마나 두꺼운지를 나타내는 핵심 측정값.

웨이퍼 표면에 원하는 재료의 얇은 막을 형성하는 공정 전체를 뜻한다.

웨이퍼, 레티클, 표면을 넓게 스캔해 입자, 긁힘, 패턴 결함, 전기적 결함 등 이상 위치를 찾아내는 공정-제어 활동.

반도체 패턴에서 성능과 공정 허용오차에 중요해 관리되는 선폭·간격 같은 핵심 치수.

패턴·막·전기특성 등에서 정상 기대상태와 달라 제품 성능이나 수율에 악영향을 줄 수 있는 이상.