웨이퍼 내 균일도

웨이퍼 표면에 원하는 재료의 얇은 막을 형성하는 공정 전체를 뜻한다.

화학반응과 기계적 연마를 함께 이용해 웨이퍼 표면의 돌출된 재료를 제거하고 다음 층을 만들기 좋은 평탄한 표면을 만드는 공정.

포토레지스트나 하드마스크로 보호되지 않은 영역의 재료를 선택적으로 제거해 웨이퍼에 실제 3차원 패턴을 만드는 공정.

여러 개의 동일한 집적회로를 한꺼번에 제조하기 위한 얇고 둥근 반도체 기판.

동일 공정 결과가 공간이나 시료 사이에서 얼마나 일정한지를 나타내는 개념. 두께, CD, CMP 제거율 등 다양한 파라미터에 적용한다.

여러 개의 동일한 집적회로를 한꺼번에 제조하기 위한 얇고 둥근 반도체 기판.

증착·산화 등으로 형성된 박막이 웨이퍼 위에서 얼마나 두꺼운지를 나타내는 핵심 측정값.

동일 공정 결과가 공간이나 시료 사이에서 얼마나 일정한지를 나타내는 개념. 두께, CD, CMP 제거율 등 다양한 파라미터에 적용한다.

같은 공정 조건으로 처리한 여러 웨이퍼 사이에서 두께, CD, 저항 같은 결과가 얼마나 달라지는지를 나타내는 변동.

모든 웨이퍼와 모든 위치를 측정하는 대신 공정 상태를 대표하도록 일부 웨이퍼·위치·형상 요소를 선택해 측정하는 전략.

여러 개의 동일한 집적회로를 한꺼번에 제조하기 위한 얇고 둥근 반도체 기판.

같은 공정 조건으로 처리한 여러 웨이퍼 사이에서 두께, CD, 저항 같은 결과가 얼마나 달라지는지를 나타내는 변동.