설명
반도체 패턴에서는 수직 방향 제거를 확보하고 옆면 손실을 줄이는 목적이 흔하다. 방향성뿐 아니라 와 반응 특성도 형상에 기여한다.
이온은 전자를 잃거나 얻어 순전하를 띤 원자 또는 분자다.
용어 상세 ↗측벽 보호는 식각 중 옆면의 반응·제거를 억제하는 표면 상태나 보호층을 형성하는 것이다.
용어 상세 ↗예시
수직 깊이가 충분해도 옆면이 많이 깎이면 선폭과 간격이 달라진다. 깊이 합격을 형상 전체의 합격과 같게 보지 않는다.
구분
원하는 방향의 제거와 원하지 않는 방향의 보존을 함께 평가한다.