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CMP

Chemical Mechanical Planarization

팩별 설명

CMP는 화학 반응과 기계적 작용을 함께 이용해 표면의 재료를 제거하고 평탄화하는 공정이다.

설명

패드와 , 하중과 상대 운동이 함께 작용한다. 균일한 막 제거와 서로 다른 높이의 평탄화는 같은 평가 항목이 아니다.

슬러리

슬러리는 CMP에서 화학 작용 성분과 미세 입자 등을 포함해 제거 반응과 기계적 작용을 제공하는 유체다.

웨이퍼

웨이퍼는 반도체 소자를 만드는 기판이다.

평균 제거량이 맞아도 특정 배선 영역이 과도하게 낮아질 수 있다. 두께 변화와 구조별 높이를 함께 확인한다.

많이 제거하는 능력보다 필요한 평탄도를 만드는 능력이 중요하다.

슬러리는 CMP에서 화학 작용 성분과 미세 입자 등을 포함해 제거 반응과 기계적 작용을 제공하는 유체다.

웨이퍼는 반도체 소자를 만드는 기판이다.

진공은 기체 압력이 주변 대기압보다 낮은 상태다.