CD 주사전자현미경

포토레지스트나 하드마스크로 보호되지 않은 영역의 재료를 선택적으로 제거해 웨이퍼에 실제 3차원 패턴을 만드는 공정.

반도체 패턴에서 성능과 공정 허용오차에 중요해 관리되는 선폭·간격 같은 핵심 치수.

공정이나 제품이 가능한 한 맞추도록 설정한 중심 또는 원하는 엔지니어링 value.

공정 결과의 치수, 두께, 중첩 정렬 오차, 형상, 재료 특성 같은 값을 정량적으로 측정하는 활동과 기술.

포토레지스트나 하드마스크로 보호되지 않은 영역의 재료를 선택적으로 제거해 웨이퍼에 실제 3차원 패턴을 만드는 공정.

반도체 패턴에서 성능과 공정 허용오차에 중요해 관리되는 선폭·간격 같은 핵심 치수.

전자빔으로 표면을 매우 크게 확대해 관찰하는 주사전자현미경입니다. 반도체에서는 미세 패턴 치수와 결함을 확인하는 데 사용됩니다.

여러 개의 동일한 집적회로를 한꺼번에 제조하기 위한 얇고 둥근 반도체 기판.

동일 공정 결과가 공간이나 시료 사이에서 얼마나 일정한지를 나타내는 개념. 두께, CD, CMP 제거율 등 다양한 파라미터에 적용한다.

전자빔을 이용해 매우 작은 물리적/전기적 결함을 높은 감도로 찾아내는 웨이퍼 검사 방식.

반도체 패턴에서 성능과 공정 허용오차에 중요해 관리되는 선폭·간격 같은 핵심 치수.

전자빔으로 표면을 매우 크게 확대해 관찰하는 주사전자현미경입니다. 반도체에서는 미세 패턴 치수와 결함을 확인하는 데 사용됩니다.

전자빔을 이용해 매우 작은 물리적/전기적 결함을 높은 감도로 찾아내는 웨이퍼 검사 방식.

패턴·막·전기특성 등에서 정상 기대상태와 달라 제품 성능이나 수율에 악영향을 줄 수 있는 이상.