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자연산화막

Native oxide

팩별 설명

자연산화막은 실리콘 등 반응성 표면이 주변 산소·수분에 노출되며 별도 없이 형성하는 얇은 산화층이다.

열산화

열산화는 높은 온도에서 산화제가 실리콘과 반응하여 산화막을 성장시키는 공정이다.

설명

일부 접촉·에서는 장벽이 되지만 다른 표면 처리에서는 필요하거나 허용될 수 있다. 항상 없애야 하는 오염으로 단정하지 않는다.

에피택시

에피택시는 기판 결정의 방향과 질서에 관계를 맺으며 결정층을 성장시키는 과정이다.

산화막 제거 직후와 긴 대기 후의 을 비교한다면 보관 분위기와 대기시간도 기록한다.

접촉 저항

접촉 저항은 서로 다른 영역이나 재료의 접속부에서 발생하는 전류 흐름의 저항 성분이다.

제거 시점뿐 아니라 다음 반응이 시작될 때의 표면을 관리한다.

열산화는 높은 온도에서 산화제가 실리콘과 반응하여 산화막을 성장시키는 공정이다.

에피택시는 기판 결정의 방향과 질서에 관계를 맺으며 결정층을 성장시키는 과정이다.

접촉 저항은 서로 다른 영역이나 재료의 접속부에서 발생하는 전류 흐름의 저항 성분이다.