열산화
Thermal oxidation
열산화는 산화성 분위기에서 기판 재료와 반응하여 산화막을 성장시키는 열처리다.
설명
실리콘 산화에서는 기판의 일부가 반응에 참여하므로 외부 재료를 올리는 증착과 구분한다. 온도·시간·분위기와 기존 산화막 상태가 성장에 영향을 준다.
예시
같은 최종 산화막 두께를 목표로 해도 기판 소모와 계면 상태를 고려해야 한다. 증착막 두께 조건을 그대로 산화 공정에 옮기지 않는다.
구분
산화막이 무엇을 반응시켜 만들어지는지부터 구분한다.