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포토레지스트

Photoresist

팩별 설명

포토레지스트는 빛에 의해 화학 상태가 변하고 현상액에 대한 용해도 차이로 패턴을 만드는 감광 재료다.

설명

빛을 받은 부분이 제거되는 포지티브와 남는 네거티브 등 반응· 체계가 다르다. 하나의 보정 방향을 모든 재료에 적용할 수 없다.

현상

현상은 감광 반응으로 생긴 용해도 차이를 이용해 선택된 레지스트 영역을 제거하는 과정이다.

다른 레지스트로 바꿀 때 감도뿐 아니라 접착·식각 내성·제거성도 비교한다.

원하는 패턴과 후속 공정에서 필요한 기능을 함께 정의한다.

현상은 감광 반응으로 생긴 용해도 차이를 이용해 선택된 레지스트 영역을 제거하는 과정이다.

공정 윈도우는 정한 품질 조건을 동시에 만족하는 입력변수 조합의 범위다.

공정 마진은 정상적인 변동이 생겨도 실패 경계에 닿지 않도록 확보한 여유다.