설명
감광막 반응과 결과를 바꾸며 최종 의 변화 방향은 레지스트 톤과 패턴 정의에 따라 달라진다. 모든 구조에서 노광량 증가가 선폭 감소를 뜻하지 않는다.
현상은 감광 반응으로 생긴 용해도 차이를 이용해 선택된 레지스트 영역을 제거하는 과정이다.
용어 상세 ↗임계 치수인 CD는 소자의 기능이나 제조 허용 범위를 결정하는 중요한 패턴 치수다.
용어 상세 ↗예시
선 패턴과 구멍 패턴을 같은 방향으로 보정하기 전에 각각의 반응 곡선을 확인한다.
구분
노광량과 치수의 관계는 제품·층·패턴별로 정의한다.