노광 후 베이크
Post-exposure bake
노광 후 베이크는 노광 뒤 감광막 내부의 반응을 진행·조절하는 열처리다.
설명
특히 화학 증폭형 레지스트에서는 반응과 이 패턴 형성에 영향을 준다. 와 시점·목적이 다르므로 같은 열처리로 묶지 않는다.
예시
같은 에서도 베이크 온도 분포나 대기 시간이 바뀌면 선폭 결과가 변할 수 있다. 노광 로그만 정상이라고 트랙 영향까지 배제하지 않는다.
구분
노광으로 시작된 정보가 열처리를 거쳐 가능한 패턴으로 이어진다.