설명
레지스트 반응과 후 형상에 영향을 주며 너무 작거나 큰 노광량은 목표 패턴을 벗어나게 할 수 있다. 실제 허용 범위는 재료와 패턴에 따라 정해진다.
현상은 노광과 후속 처리로 용해성이 달라진 감광막 중 선택된 부분을 제거해 패턴을 드러내는 과정이다.
용어 상세 ↗예시
광원 출력이 같아도 스캔 조건과 광학 전달 상태가 달라지면 노광량은 달라질 수 있다. 광원 출력과 웨이퍼 선량을 같은 값으로 보지 않는다.
구분
에너지가 어디에서 측정되고 어느 면적에 전달되는지 확인한다.