임계치수(CD)

포토레지스트나 하드마스크로 보호되지 않은 영역의 재료를 선택적으로 제거해 웨이퍼에 실제 3차원 패턴을 만드는 공정.

공정 결과의 치수, 두께, 중첩 정렬 오차, 형상, 재료 특성 같은 값을 정량적으로 측정하는 활동과 기술.

공정이나 제품이 가능한 한 맞추도록 설정한 중심 또는 원하는 엔지니어링 value.

동일 공정 결과가 공간이나 시료 사이에서 얼마나 일정한지를 나타내는 개념. 두께, CD, CMP 제거율 등 다양한 파라미터에 적용한다.

회로 설계가 웨이퍼 위에 선·공간·구조 형태로 구현된 미세 형상.

투입·제조된 제품 가운데 요구 기준을 만족하는 양품이 차지하는 비율. 웨이퍼 문맥에서는 생산 가능한 다이 중 정상 칩의 비율로 설명된다.

특정 반도체 기술 세대에서 트랜지스터·배선 구조와 이를 만드는 공정 규칙·단계를 묶어 부르는 기술 플랫폼.

전자빔으로 미세 패턴을 이미징하고 선폭, 간격, 홀 같은 핵심 치수를 측정하는 SEM 기반 계측 장비.

회로 설계가 웨이퍼 위에 선·공간·구조 형태로 구현된 미세 형상.

특정 반도체 기술 세대에서 트랜지스터·배선 구조와 이를 만드는 공정 규칙·단계를 묶어 부르는 기술 플랫폼.