자기정렬 콘택트
Self-aligned contact
SAC
콘택트는 주변 보호 구조와 선택적 을 이용해 접점의 위치 여유를 확보하는 방식이다.
자기정렬은 이미 형성된 구조를 마스크나 기준으로 이용해 후속 구조의 상대 위치를 정하는 방식이다.
용어 상세 ↗식각은 화학반응이나 물리적 작용으로 재료를 제거해 원하는 형상과 노출 영역을 만드는 공정이다.
용어 상세 ↗설명
나 덮개막이 인접 게이트를 보호하면서 필요한 곳을 열도록 설계한다. 새 의 위치 오차에 대한 민감도를 줄일 수 있지만 보호막 소모에는 한계가 있다.
스페이서는 기존 구조의 옆면에 남겨 간격과 보호 영역을 정하는 절연막 등의 구조이다.
용어 상세 ↗노광은 감광막에 빛을 조사해 원하는 위치에 화학적 변화를 기록하는 과정이다.
용어 상세 ↗예시
보호막이 충분하지 않거나 가 나빠지면 이웃 구조와 단락될 수 있다. 자기정렬이라는 이름만으로 정렬과 의 위험이 사라지지 않는다.
식각 선택비는 목표 재료의 식각률을 비교 재료의 식각률로 나눈 값이다.
용어 상세 ↗식각은 화학반응이나 물리적 작용으로 재료를 제거해 원하는 형상과 노출 영역을 만드는 공정이다.
용어 상세 ↗구분
접점은 보호 구조의 형상과 에 기대어 위치 여유를 만든다.
자기정렬은 이미 형성된 구조를 마스크나 기준으로 이용해 후속 구조의 상대 위치를 정하는 방식이다.
용어 상세 ↗식각 선택비는 목표 재료의 식각률을 비교 재료의 식각률로 나눈 값이다.
용어 상세 ↗