오버레이 계측

서로 다른 리소그래피 층의 패턴이 목표 위치에 얼마나 정확히 겹치는지를 나타내는 오차 지표.

레티클과 웨이퍼를 정밀하게 이동·스캔하면서 좁은 노광 slit를 이용해 한 노광 영역을 노광하는 step-and-scan 리소그래피 시스템.

평소의 정상 공정 상태나 허용된 공정 윈도우에서 벗어나 제품 위험을 만들 수 있는 비정상적인 공정 사건.

공정 결과의 치수, 두께, 중첩 정렬 오차, 형상, 재료 특성 같은 값을 정량적으로 측정하는 활동과 기술.

서로 다른 리소그래피 층의 패턴이 목표 위치에 얼마나 정확히 겹치는지를 나타내는 오차 지표.

노광 전에 웨이퍼의 기존 표시와 레티클 기준을 측정해 다음 패턴이 목표 위치에 오도록 좌표와 자세를 맞추는 과정.

공정 결과의 치수, 두께, 중첩 정렬 오차, 형상, 재료 특성 같은 값을 정량적으로 측정하는 활동과 기술.

레티클/마스크의 패턴 정보를 빛으로 포토레지스트에 선택적으로 전달해 레지스트의 화학적 상태를 바꾸는 단계.