용어검색/반도체갭 충전Gap fill팩별 설명반도체 장비 L1반도체 공정 L2갭 충전은 패턴 사이의 공간을 목표 재료로 채우는 과정이다.정의 복사관련 학습 ↓설명입구 폐쇄 전에 내부가 채워져야 하며 초기 형상·성장 방향·유동·후처리가 중요하다. 등각 증착만으로 항상 빈틈없는 충전이 되지는 않는다.예시입구가 좁은 구조에서 상부가 먼저 닫히면 내부 보이드가 남을 수 있다.구분피복성과 완전 충전은 구분해서 검증한다.함께 배우는 용어표면 준비↗표면 준비는 후속 증착·접합·반응이 재현되도록 오염과 표면 화학상태를 조정하는 과정이다.금속 오염↗금속 오염은 의도하지 않은 금속 성분이 표면이나 재료 내부에 존재하는 상태다.세정 선택성↗세정 선택성은 제거하려는 물질을 없애면서 보존할 재료의 손실을 억제하는 상대적 성능이다.이전 용어← 트렌치 라이너다음 용어심과 보이드 →반도체 기술지도전체 지도 ↗L0 큰 그림L1 분야 이해L2 깊은 탐구✦ BESTL0반도체 시작10무료학습 10개✦ BESTL1반도체 용어오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 공정오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 공정오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 장비오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 장비오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 패키징·HBM오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 패키징·HBM오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 수율·불량오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 수율·불량오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 테스트오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 테스트오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 계측·검사오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 계측·검사오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 소재오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 소재오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 소자오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 소자오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 클린룸·오염관리오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 클린룸·오염관리오픈 30% · 27,300원학습 30개L1Fab 자동화·MES오픈 30% · 27,300원학습 30개L2Fab 자동화·MES오픈 30% · 27,300원학습 30개