설명
EUV는 짧은 을 이용해 첨단 노드의 매우 작은 을 더 적은 패터닝 단계로 구현하는 데 활용된다.
빛의 한 주기에서 다음 주기까지의 공간적 길이. 리소그래피에서는 파장이 짧을수록 더 작은 패턴을 구분하는 데 유리하다.
용어 상세 ↗회로 설계가 웨이퍼 위에 선·공간·구조 형태로 구현된 미세 형상.
용어 상세 ↗예시
EUV 는 13.5 nm 빛과 reflective optics를 이용해 미세 을 에 한다.
관련 용어:
레티클과 웨이퍼를 정밀하게 이동·스캔하면서 좁은 노광 slit를 이용해 한 노광 영역을 노광하는 step-and-scan 리소그래피 시스템.
용어 상세 ↗회로 설계가 웨이퍼 위에 선·공간·구조 형태로 구현된 미세 형상.
용어 상세 ↗여러 개의 동일한 집적회로를 한꺼번에 제조하기 위한 얇고 둥근 반도체 기판.
용어 상세 ↗레티클/마스크의 패턴 정보를 빛으로 포토레지스트에 선택적으로 전달해 레지스트의 화학적 상태를 바꾸는 단계.
용어 상세 ↗심자외선(DUV) 파장의 빛을 사용하는 광학 리소그래피 기술 계열. 대표 광원으로 KrF 248 nm와 ArF 193 nm가 쓰인다.
용어 상세 ↗구분
EUV는 단순히 더 강한 가 아니라 광원·반사광학계· 구조 등이 크게 다른 리소그래피 platform이다.
심자외선(DUV) 파장의 빛을 사용하는 광학 리소그래피 기술 계열. 대표 광원으로 KrF 248 nm와 ArF 193 nm가 쓰인다.
용어 상세 ↗포토리소그래피에서 웨이퍼에 전사할 회로 패턴을 담아 노광에 사용하는 패턴 캐리어. DUV에서는 주로 투과형 레티클/마스크를, EUV에서는 반사형 다층 마스크를 사용한다.
용어 상세 ↗