심자외선 노광

약 13.5 nm 파장의 극자외선(EUV)을 사용하는 고해상도 리소그래피 기술.

DUV 노광에 쓰이는 193 nm 파장의 엑시머 레이저 광원입니다.

레티클과 웨이퍼를 정밀하게 이동·스캔하면서 좁은 노광 slit를 이용해 한 노광 영역을 노광하는 step-and-scan 리소그래피 시스템.

여러 개의 동일한 집적회로를 한꺼번에 제조하기 위한 얇고 둥근 반도체 기판.

회로 설계가 웨이퍼 위에 선·공간·구조 형태로 구현된 미세 형상.

레티클/마스크의 패턴 정보를 빛으로 포토레지스트에 선택적으로 전달해 레지스트의 화학적 상태를 바꾸는 단계.

약 13.5 nm 파장의 극자외선(EUV)을 사용하는 고해상도 리소그래피 기술.

빛의 한 주기에서 다음 주기까지의 공간적 길이. 리소그래피에서는 파장이 짧을수록 더 작은 패턴을 구분하는 데 유리하다.

DUV 노광에 쓰이는 248 nm 파장의 엑시머 레이저 광원입니다.

약 13.5 nm 파장의 극자외선(EUV)을 사용하는 고해상도 리소그래피 기술.

빛의 한 주기에서 다음 주기까지의 공간적 길이. 리소그래피에서는 파장이 짧을수록 더 작은 패턴을 구분하는 데 유리하다.