용어검색/반도체투영 비정Projected range투영 비정 Rp는 주입 이온이 기판 안에서 멈춘 위치를 입사 방향으로 투영한 평균 깊이다.정의 복사관련 학습 ↓설명모든 이온이 같은 깊이에서 멈추지 않으므로 Rp만으로 전체 프로파일을 설명할 수 없다. 이온 종류와 기판·에너지에 의존한다.예시Rp가 같아도 깊은 꼬리 부분이 다르면 누설이나 하부층 영향이 달라질 수 있다.구분평균 깊이와 분포 꼬리를 함께 확인한다.함께 배우는 용어표면 준비↗표면 준비는 후속 증착·접합·반응이 재현되도록 오염과 표면 화학상태를 조정하는 과정이다.파티클 오염↗파티클 오염은 표면에 부착한 미세 입자가 패턴이나 막 형성을 방해하는 상태다.스퍼터링↗스퍼터링은 입자가 타깃에 충돌하여 타깃 원자를 방출시키는 현상이며 이를 이용해 막을 증착할 수 있다.이전 용어← 주입 에너지다음 용어주입 분포 폭 →반도체 기술지도전체 지도 ↗L0 큰 그림L1 분야 이해L2 깊은 탐구✦ BESTL0반도체 시작10무료학습 10개✦ BESTL1반도체 용어오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 공정오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 공정오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 장비오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 장비오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 패키징·HBM오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 패키징·HBM오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 수율·불량오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 수율·불량오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 테스트오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 테스트오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 계측·검사오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 계측·검사오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 소재오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 소재오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 소자오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 소자오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 클린룸·오염관리오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 클린룸·오염관리오픈 30% · 27,300원학습 30개L1Fab 자동화·MES오픈 30% · 27,300원학습 30개L2Fab 자동화·MES오픈 30% · 27,300원학습 30개