원자층 식각
Atomic layer etching
ALE
원자층 식각은 표면을 변형하는 단계와 변형층을 제거하는 단계를 분리해 작은 제거량을 반복 제어하는 방식이다.
설명
적절한 조건에서 각 단계가 자기제한적으로 동작하도록 설계한다. 플라즈마 보조 방식과 열적 방식 등 구현이 다르며 한 사이클이 정확히 한 원자층을 제거한다고 보장하지 않는다.
예시
순환 식각이라고 모두 ALE인 것은 아니다. 노출·제거 단계의 포화와 단독 단계 대비 결합 효과를 확인해야 한다.
구분
ALE의 정밀도는 단계 분리와 자기제한성의 검증에서 나온다.