설명
는 등각막에 유리하지만 반응물 수송·반응 확률·구조 접근성이 제한되면 위치별 차이가 생긴다. 등각막도 좁은 입구를 닫을 수 있다.
원자층 증착인 ALD는 전구체와 반응물의 순차적인 표면 반응을 반복하여 박막을 형성하는 방법이다.
용어 상세 ↗예시
측벽 두께가 균일해도 내부가 완전히 채워졌다는 뜻은 아니다. 라이너 형성과 의 목표를 구분한다.
갭 충전은 패턴 사이의 공간을 목표 재료로 채우는 과정이다.
용어 상세 ↗구분
피복률과 충전율을 같은 지표로 보고하지 않는다.