용어검색/반도체플라즈마 ALDPlasma-enhanced ALDPEALD팩별 설명반도체 공정 L1반도체 소재 L1반도체 공정 L2플라즈마 ALD는 ALD의 반응 단계에서 플라즈마가 만든 반응성 종을 사용하는 방식이다.플라즈마플라즈마는 전자·이온과 중성 입자가 함께 존재하는 이온화된 기체 상태다.용어 상세 ↗ALD원자층 증착인 ALD는 전구체와 반응물의 순차적인 표면 반응을 반복하여 박막을 형성하는 방법이다.용어 상세 ↗정의 복사관련 학습 ↓설명반응과 막질을 개선하거나 온도를 낮출 수 있지만 라디칼 재결합·이온 방향성·표면 손상으로 깊은 구조의 반응이 달라질 수 있다.라디칼라디칼은 홀전자를 가진 화학적으로 반응성 높은 종이다.용어 상세 ↗예시평탄 웨이퍼 성능이 좋은 조건도 높은 종횡비 구조에서는 별도 피복성 평가가 필요하다.종횡비종횡비는 구조의 깊이나 높이를 대표 폭으로 나눈 비다.용어 상세 ↗구분평탄막 성능을 3차원 구조에 그대로 대입하지 않는다.함께 배우는 용어원자층 증착↗원자층 증착인 ALD는 전구체와 반응물의 순차적인 표면 반응을 반복하여 박막을 형성하는 방법이다.플라즈마↗플라즈마는 전자·이온과 중성 입자가 함께 존재하는 이온화된 기체 상태다.라디칼↗라디칼은 홀전자를 가진 화학적으로 반응성 높은 종이다.이전 용어← 등각 피복다음 용어선택적 증착 →반도체 기술지도전체 지도 ↗L0 큰 그림L1 분야 이해L2 깊은 탐구✦ BESTL0반도체 시작10무료학습 10개✦ BESTL1반도체 용어오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 공정오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 공정오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 장비오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 장비오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 패키징·HBM오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 패키징·HBM오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 수율·불량오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 수율·불량오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 테스트오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 테스트오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 계측·검사오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 계측·검사오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 소재오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 소재오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 소자오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 소자오픈 30% · 27,300원학습 30개L1반도체 클린룸·오염관리오픈 30% · 27,300원학습 30개L2반도체 클린룸·오염관리오픈 30% · 27,300원학습 30개L1Fab 자동화·MES오픈 30% · 27,300원학습 30개L2Fab 자동화·MES오픈 30% · 27,300원학습 30개