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심부 실리콘 식각

Deep silicon etching

DRIEDeep Reactive Ion Etching

심부 실리콘 식각은 실리콘 안에 깊은 구조를 만들기 위해 재료를 선택적으로 제거하는 공정이다.

설명

용 구멍에서는 깊이뿐 아니라 측벽 형상, 입구와 바닥의 치수, 잔류물 관리가 중요하다. 이후 과 금속층이 그 표면을 따라 형성된다.

TSV

TSV는 실리콘 다이 또는 웨이퍼를 두께 방향으로 관통하여 전기 경로를 만드는 전극이다.

절연층

절연층은 인접한 금속 경로 사이의 원치 않는 전류 흐름을 막는 재료층이다.

측벽이 거칠거나 일부가 좁아지면 다음 공정의 피복과 충전이 어려울 수 있다. 최종 깊이 수치만으로 식각 상태를 평가하지 않는다.

식각 형상은 후속 금속화가 사용할 기초 표면을 만든다.

TSV는 실리콘 다이 또는 웨이퍼를 두께 방향으로 관통하여 전기 경로를 만드는 전극이다.

절연층은 인접한 금속 경로 사이의 원치 않는 전류 흐름을 막는 재료층이다.

패키지 기판은 다이를 지지하면서 여러 배선층과 비아로 내부 접점을 외부 단자에 연결하는 부품이다.