화면을 준비하고 있습니다.

디싱

Dishing

팩별 설명

디싱은 후 넓은 금속 영역 등의 표면이 주변 기준면보다 오목해지는 현상이다.

CMP

화학기계적 평탄화인 CMP는 표면의 화학 반응과 기계적 접촉을 결합해 재료를 제거하고 높이 차이를 줄이는 공정이다.

설명

재료별 제거 차이와 패드 접촉·패턴 폭·과연마가 영향을 준다. 금속 두께 손실은 배선 저항과 후속 평탄도에 영향을 줄 수 있다.

넓은 배선만 중앙이 낮다면 웨이퍼 전체 제거량 보정으로 해결되는지 먼저 검토한다.

패턴 폭별 높이 차이를 확인한다.

화학기계적 평탄화인 CMP는 표면의 화학 반응과 기계적 접촉을 결합해 재료를 제거하고 높이 차이를 줄이는 공정이다.

표면 준비는 후속 증착·접합·반응이 재현되도록 오염과 표면 화학상태를 조정하는 과정이다.

자연산화막은 실리콘 등 반응성 표면이 주변 산소·수분에 노출되며 별도 열산화 없이 형성하는 얇은 산화층이다.