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성장 중 도핑

In-situ doping

팩별 설명

성장 중 도핑은 결정층을 성장시키는 동안 도펀트를 함께 도입하는 방법이다.

설명

후속 을 줄일 수 있지만 도펀트가 성장률·조성·표면 반응에 영향을 줄 수 있다. 공급비와 실제 전기 활성 농도는 같지 않다.

이온 주입

이온 주입은 가속한 이온을 고체에 넣어 불순물 분포나 재료 상태를 조절하는 공정이다.

도펀트 공급을 늘린 뒤 저항뿐 아니라 형상과 결함이 변하면 반응 결합을 확인한다.

도핑 조건 변경을 전기 특성만의 조절로 보지 않는다.

이온 주입은 가속한 이온을 고체에 넣어 불순물 분포나 재료 상태를 조절하는 공정이다.

표면 준비는 후속 증착·접합·반응이 재현되도록 오염과 표면 화학상태를 조정하는 과정이다.

금속 오염은 의도하지 않은 금속 성분이 표면이나 재료 내부에 존재하는 상태다.