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패턴 이관 바이어스

Pattern-transfer bias

패턴 이관 바이어스는 레지스트나 마스크의 패턴이 아래층으로 전달될 때 치수가 체계적으로 달라지는 정도다.

설명

식각의 측방 반응·마스크 손실·패시베이션 등이 원인이다. 위치와 패턴 밀도에 따라 같은 보정값이 통하지 않을 수 있다.

후 는 같은데 식각 후 CD가 달라지면 단계 전후 차이를 비교해야 한다.

현상

현상은 감광 반응으로 생긴 용해도 차이를 이용해 선택된 레지스트 영역을 제거하는 과정이다.

임계 치수인 CD는 소자의 기능이나 제조 허용 범위를 결정하는 중요한 패턴 치수다.

최종 패턴 편차를 전부 노광 보정으로 흡수하지 않는다.

현상은 감광 반응으로 생긴 용해도 차이를 이용해 선택된 레지스트 영역을 제거하는 과정이다.

임계 치수인 CD는 소자의 기능이나 제조 허용 범위를 결정하는 중요한 패턴 치수다.

변동의 계층은 측정 반복·웨이퍼 내부·웨이퍼 사이·로트 사이에서 생기는 차이를 구분하는 관점이다.