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연마 정지막

Polish stop layer

연마 정지막은 에서 상대적으로 낮은 제거율 등을 이용하여 목표 제거 상태를 관리하는 기준층이다.

CMP

화학기계적 평탄화인 CMP는 표면의 화학 반응과 기계적 접촉을 결합해 재료를 제거하고 높이 차이를 줄이는 공정이다.

설명

선택성이 유한하므로 노출 후에도 손실될 수 있다. 두께와 제거 균일도·과연마 시간이 남은 마진을 결정한다.

정지막이 있다는 이유로 과연마 시간을 제한 없이 늘릴 수는 없다.

정지 기능을 절대적인 제거 차단으로 오해하지 않는다.

화학기계적 평탄화인 CMP는 표면의 화학 반응과 기계적 접촉을 결합해 재료를 제거하고 높이 차이를 줄이는 공정이다.

표면 준비는 후속 증착·접합·반응이 재현되도록 오염과 표면 화학상태를 조정하는 과정이다.

금속 오염은 의도하지 않은 금속 성분이 표면이나 재료 내부에 존재하는 상태다.